股票配资论坛大全网 2025半导体键合设备行业报告：先进封装高密度互联推动键合技术发展，国产设备持续突破

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半导体键合技术迎变革期先进封装驱动高密度互联突破

在半导体技术持续演进的背景下，键合设备作为封装环节的核心装备，正迎来新一轮发展机遇。随着人工智能、高性能计算、5G通信等领域的快速发展，对芯片传输速度、集成密度和能效提出了更高要求，推动封装技术从传统引线键合向热压键合、混合键合等先进工艺演进。这一趋势不仅重塑了键合设备的市场格局，也为国内企业带来了技术突破与国产替代的重要窗口。

传统封装方式主要依赖引线键合技术，通过金属引线实现芯片与基板之间的电气连接。尽管该技术成熟且成本较低，但其互联密度有限，信号传输路径较长，难以满足现代高端芯片对高带宽、低延迟的需求。随着芯片尺寸不断缩小、I/O数量激增，引线键合逐渐无法适应先进封装的要求，倒装键合、热压键合等技术开始成为主流。特别是热压键合，通过在加热的同时施加压力，实现了更细间距的互联，适用于高性能处理器、存储芯片等场景。

在众多先进键合技术中，混合键合被视为未来高密度互联的关键路径。该技术通过铜-铜直接键合实现芯片间短距离电气连接，无需引线或微凸块，显著提升了互联密度、信号传输速度和能效。例如，采用混合键合的芯片在互联密度、带宽和能耗方面均优于传统热压键合方案。目前，该技术已在高端存储芯片如HBM4及3D NAND中逐步导入，预计将在2027年后广泛应用于移动处理器等领域。然而，混合键合对晶圆表面光滑度、清洁度及对准精度要求极高，成为其工艺落地的核心挑战。

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随着芯片堆叠层数增加，晶圆厚度不断减薄至10微米以下，临时键合与解键合工艺应运而生。这类技术通过在晶圆背面减薄前将其临时固定在载板上，提供机械支撑，防止超薄晶圆在加工过程中发生翘曲或碎裂。激光解键合因其高效率、低损伤特性，成为当前主流解键合方式。该领域设备市场虽由海外企业主导，但国内厂商已在关键技术方面取得进展，逐步实现国产化突破。

从全球市场来看，海外企业在键合设备领域仍占据主导地位。例如，在热压键合设备市场，前五大厂商市场份额合计接近九成；混合键合设备则由少数国际企业垄断。然而，随着国内企业在技术研发与客户导入方面不断突破，国产键合设备正逐步崭露头角。多家国内厂商已推出具备自主知识产权的混合键合、临时键合及解键合设备，并在客户端实现验证与重复订单，显示出良好的发展势头。

总体来看，半导体键合技术正朝着更高密度、更低功耗、更强集成能力的方向发展。随着先进封装需求的持续释放，键合设备行业将迎来新一轮增长周期。国内企业若能持续提升技术能力、突破关键工艺瓶颈，有望在未来的市场竞争中占据更加重要的位置，助力中国半导体产业链实现更高水平的自主可控。

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发布于：广东省

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